近日，新加坡毕盛资产管理的创始人兼联席首席投资官王国辉的一番言论在芯片行业引发广泛关注。他在接受媒体采访时表示，只要有一家中国公司能够成功生产EUV光刻机，那么“芯片争夺战” 就会结束，中芯国际也将会超越台积电。

王国辉指出，尽管当前台积电市值已超1万亿美元，而中芯国际A股市值约为1000亿美元，差距悬殊，但中芯国际具备诸多优势。首先，芯片制造是资本密集型产业，单个代工厂成本通常高达100亿美元，中芯国际拥有充足资金，且有中国政府的强力支持。其次，中国每年培养约500万理工科毕业生，这为中芯国际提供了丰富的人才资源。再者，庞大的国内市场使中芯国际无需开拓西方市场就能实现规模经济。

然而，中芯国际在追赶台积电的道路上面临着技术瓶颈，其中最关键的就是EUV光刻机的获取问题。目前，全球仅ASML一家厂商能够制造EUV光刻机，由于外部限制，中国很难获得先进的EUV光刻机设备，这对中芯国际在尖端节点上生产芯片造成了一定困难。

不过，王国辉对此持乐观态度。他认为，一旦中国有公司成功开发出国产EUV光刻机，中芯国际将突破技术瓶颈。这不仅意味着中芯国际能够实现先进制程芯片的制造，缩小与台积电的差距，还将带动国内芯片产业链的完善，增强中国芯片产业的稳定性和安全性，从而彻底改写全球芯片行业的格局。

值得注意的是，在EUV光刻技术方面，中国已经取得了一些进展。在“2024黑龙江省高校和科研院所职工科技创新成果转化大赛决赛”上，哈工大先进技术研究院申报、航天学院赵永蓬教授研发的“放电等离子体极紫外（EUV）光刻光源”项目荣获一等奖。该光源具有能量转换效率高、造价较低、体积较小、技术难度较低等优点，可提供中心波长为13.5纳米的极紫外光，能满足极紫外光刻市场的急切需求，为我国极紫外光刻领域的发展及解决高端制造领域的关键问题作出了重要贡献。但要实现可商用的EUV光刻机，还有很长的路要走。

此外，中国在硅光子学领域也有积极探索。去年9月，湖北九峰山实验室成功点亮了集成到硅基芯片内部的激光光源，这是该项技术在国内的首次成功实现，有望成为摆脱ASML技术束缚的潜在途径。

王国辉也承认，其观点的实现需要较长时间。在美日荷的联合限制下，中芯国际可能至少在2026年之前仍受限于缺乏先进的半导体制造设备，难以持续推进先进制程工艺。但他对中国半导体产业的发展仍持乐观态度，相信中芯国际能利用本土优势和技术创新在全球半导体市场中获得重要地位局势观察。